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描述：MGFS38G38L2，
GAN HEMT與N-channel schottkygate，是為S-band基站設(shè)計(jì)的。
高電壓操作：VDS=50V=DED=THE THE OUTUCTION THE OUTUCTION
POWER：38DBM=TYPE=38DBM=38DBM=PSAT，F(xiàn)=3.5GHZ，
Single Path=HHE Efficiency=60%（（*）=PSAT，F(xiàn)=3.5GHZ，
SINGHE PSAT=PSAT，F(xiàn)=3.5GHZH=5GHZ=SING，SIN=50V=30MA

與硅產(chǎn)品相比，GaN和GaAs基FET是對(duì)靜電放電（ESD）更敏感的產(chǎn)品。應(yīng)用ESD可能導(dǎo)致產(chǎn)品故障。請(qǐng)小心處理產(chǎn)品，采取防靜電措施，如腕帶、接地臺(tái)/地板、電離器等。
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