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磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

價  格：詢價

產(chǎn)  地：俄羅斯更新時間：2020-10-30 14:02

品  牌：屹持光電技術(shù)型  號：GaP

狀  態(tài)：正常點擊量：2538

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磷化鎵晶體GaP晶體太赫茲晶體

產(chǎn)品簡介        

磷化鎵是***種人工合成的化合物半導(dǎo)體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是***種由n從族元素鎵(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導(dǎo)體材料。磷化鎵的晶體結(jié)構(gòu)為閃鋅礦型，晶格常數(shù)5.447±0.06埃，化學(xué)鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導(dǎo)體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體(如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費米能***接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質(zhì)元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。

（110）晶向的GaP晶體常常被用在太赫茲時域光譜儀中作為探測晶體，其橫光學(xué)支聲子線在11THz。通常可探測的頻譜寬度在0.1-6.5THz。



產(chǎn)品參數(shù)

GaP磷化鎵晶體產(chǎn)品


GaP 磷化鎵晶體基本規(guī)格(a) Description

   1  

GaP (110), 10x10x4 mm, 2 sides polished.

    2 

GaP (110), 10x10x2 mm, 2 sides polished..

    3

GaP (110), 10x10x0.5 mm, 2 sides polished..

    4

GaP (110), 10x10x0.4 mm, 2 sides polished..

    5

GaP (110), 10x10x0.2 mm, 2 sides polished..

    6

GaP (110), 10x10x0.1 mm, 2 sides polished..

(a)其他規(guī)格要求可以定制



產(chǎn)品介紹

中文名：磷化鎵

外文名：Gallium phosphide

分子式：GaP

分子量：100.6968





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