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薄膜熱應力測試系統(tǒng)（TST ）

  薄膜熱應力測試系統(tǒng)，采用測量光學設計 MOS 傳感器，MOS 傳感器榮獲美***，可快速準確地測量薄膜的曲率、應力強度、隨溫度變化的曲線關(guān)系等。

產(chǎn)品特點

 獲得美***技術(shù)的 MOS 多光束技術(shù)（二維激光陣列）

 采用真空和低壓氣體保護，可進行溫度范圍-100~1200°C（多種溫度范圍可選）的變溫測量

 樣品快速熱處理和冷處理功能

 溫度閉環(huán)控制保證極佳的溫度均勻性和精度

 實時的應力、曲率 VS 溫度曲線

 程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點線性掃描、全面積掃描

 成像功能：樣品表面 2D 曲率成像，定量薄膜應力成像分析

 測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等

 氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery 系統(tǒng)

 可采用泵入液氮冷卻,冷卻速率 100°C/min

技術(shù)原理

本測試系統(tǒng)采用非接觸 MOS 激光技術(shù)；不但可以對薄膜的應力、表面曲率和翹曲進行精確的

測量，而且還可二維應力 Mapping 成像統(tǒng)計分析；同時可精確測量應力、曲率隨溫度變化的關(guān)系。

激光部分和檢測器固定在同***框架上，這種設計始終保證所有陣列的激光光點始終在同***頻率

運動或掃描，從而有效避免了外界振動對測試結(jié)果的影響；同時大大提高測試的分辨率；適合各種

材質(zhì)和厚度薄膜應力分析。

技術(shù)參數(shù)

溫度范圍             -100~1200°C( 多種溫度范圍可選)

溫度速率             加熱 >10°C/秒

                     冷卻

                     600°C， 50°C/分鐘

                     400°C 到室溫， 5°C/分鐘 （可擴展更快的升溫和降溫速率）

溫度均勻性           ± 2 °C

溫度穩(wěn)定性           ± 1 %

平均傾斜重復性       < 1μrad

平均曲率重復性       < 2×10E -5 1/m

應力測量范圍         幾十 KPa ~ 幾十 GPa

空間掃描分辨率       高達 1μm

（用戶可調(diào)） 

曲率分辨率           室溫 100Km，高溫 20Km

實時熱應力測量分析   30 點/秒

真空腔室真空度       10 mTorr

測量基片尺寸 標配    200mm（100mm 和 300mm 可選）

應用

本測試系統(tǒng)現(xiàn)在用于全球科研或者生產(chǎn)企業(yè)中薄膜原位應力監(jiān)測和控制。

應用于金屬薄膜，介電薄膜、濾光片膜、平板玻璃、300mm 半導體集成電路板、薄膜電池、

MBE 和 MOCVD 薄膜制備和退火過程的熱應力監(jiān)控等領(lǐng)域。